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六方相-氮化硼(h-BN)二维材料MOCVD制备技术探索研究招标公告
信息来源：本站 | 发布日期： 2021-05-24 13:10:39 | 浏览量：1049672
研究目标与内容：范德华(vdW)二维异质结不依赖于化学键，也不受限于材料的晶格匹配度，能够将具有完全不同性能的材料集成到一起构建全新的界面，有利于创建更广泛的材料构筑单X，实现多种新型电子X件。实现vdW二维异质结的前提是研制高性能二维材料。二维材料h-BN具有原子…
研究目标与内容：
范德华(vdW)二维异质结不依赖于化学键，也不受限于材料的晶格匹配度，能够将具有完全不同性能的材料集成到一起构建全新的界面，有利于创建更广泛的材料构筑单X，实现多种新型电子X件。实现vdW二维异质结的前提是研制高性能二维材料。二维材料h-BN具有原子层级的平X表面、低介电系数、高化学和热稳定性、介电强度高等特点，与单层石墨烯等结合形成vdW异质结，具有杂化等离子-声子模型的特性，可用于室温超导体、新型场效应管、能量收集器等。基于X在蓝宝石等单晶衬底上开展h-BN材料的生长工艺及各类微结构缺陷的形成演变研究，探索不同生长模式的外延模型及物理机制，实现晶圆级二维h-BN材料的研制；同时建立h-BN材料质量及性能的表征技术，揭示材料的微观内在特性；并研究GaN HEMT外延材料在二维h-BN表面生长机理，在h-BN表面实现高性能GaN HEMT外延材料，为无损vdW衬底转移技术及提升GaN微波器件性能奠定材料基础。
项目指标：
（1）二维h-BN材料原子层数≤5-6层，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.5nm，拉曼光谱E2g模式h-BN半高宽≤X cm-1； （2）在二维h-BN材料表面研制的GaN HEMT外延材料，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.8nm，2μm厚GaN(X)/(X)晶面x射线双晶摇摆曲线半高宽X别≤0.X°和≤0.X°，圆片弯曲度Bow≤Xμm，2DEG迁移率≥X cm2/(V·s)。
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