- 新闻中心
- news Center
- 联系我们
- Contact Us
苏州纳朴材料科技有限公司
- 联系人：
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手机：
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 邮箱：
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技术联系人：
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手机：
15607960267(同微信)
- Mobile Phone:
+86-15607960267
(WeChat ID)
- 邮箱：
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 办公室地址：
苏州市相城区聚茂街185号D栋11层1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工厂地址：
江西省吉安市井冈山经济技术开发区
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
大尺寸六方氮化硼二维晶体的CVD生长及机制研究
信息来源：本站 | 发布日期： 2020-04-14 10:56:11 | 浏览量：1048494
二维材料(2D)具有单原子层级的厚度及稳定的物化性能。通过将不同的2D材料以平面或者垂直堆叠的形式组合成不同的异质材料,可以得到不同于单一材料所具有的性能,2D材料的这些特点决定了其成为最近科学界的研究热点。六方氮化硼(h-BN)是与石墨烯结构类似的二维绝缘体材料,它…
二维材料(2D)具有单原子层级的厚度及稳定的物化性能。通过将不同的2D材料以平面或者垂直堆叠的形式组合成不同的异质材料,可以得到不同于单一材料所具有的性能,2D材料的这些特点决定了其成为最近科学界的研究热点。六方氮化硼(h-BN)是与石墨烯结构类似的二维绝缘体材料,它作为介电层在提高场效应晶体管器件的迁移率方面拥有广泛的应用前景。然而如何可控制备大面积、高质量的h-BN依旧是目前研究中所面临的首要问题。
基于此,我们利用化学气相沉积(CVD)的方法,研究了如何可控制备大面积、高质量的h-BN,并取得了一系列进展。研究了在低压CVD体系中,成核密度、反应时间、反应压力、反应温度等参数对h-BN生长的影响;优化参数,制备出了单晶尺寸达到20μm且厚度均一的大面积h-BN薄膜。
该薄膜具有较高的热稳定性(在950℃空气中依旧可以保持结构的稳定性)。利用它的热定稳定性,在空气中对铜箔氧化处理,可以清晰的观察到三角形形状的单片h-BN。进一步研究表明表面干净的h-BN作为介电层时,使石墨烯场效应晶体管器件的迁移率提高了6倍,这说明二者界面的干净程度对器件的电学性能有着决定性的影响。在本研究中,我们提出了一种简单、有效的实验方法来制备大尺寸的h-BN单晶,同时发现了介电层表面的干净程度对石墨烯的电学性能有重要的影响。
-
2025-01-14 11:45:16
研究背景与挑战随着人工智能（AI）技术的不断发展，传统计算架构面临越来越多的限制，例如时间延迟和功耗瓶颈，尤其是在处理复杂的时序数据时。储备计算…
-
2025-01-07 08:55:04
氮化硼（Boron Nitride, BN）是一种重要的无机化合物，广泛应用于电子、新能源、航空航天等多个高科技领域。其独特的物理和化学性质，如高热导率、电绝…
-
2024-12-30 09:34:38
摘要单晶六方氮化硼（hBN）广泛应用于许多二维电子和量子器件中，其中缺陷对器件性能有重要影响。因此，表征和工程化hBN缺陷对推动这些技术发展至关重要…
-
2024-12-20 13:13:12
六方氮化硼是由氮原子和硼原子构成的晶体，是一种广泛使用的材料，它在许多领域都具有重要的应用，例如高温润滑剂和模型的脱模剂等。然而，它并不导电。…
-
2024-12-20 13:10:06
研究背景和主要内容单晶六方氮化硼 (hBN) 在许多涉及二维 (2D) 材料的研究中发挥着重要作用。绝缘 hBN 的一个显著应用是通过将 2D 材料封装在 hBN 薄片…
-
2024-12-14 15:52:13
范德华层状材料由于表面不存在悬挂键及其优越的电学特性，在制造下一代先进的单片集成电路方面具有很好的应用前景。互补金属氧化物半导体(CMOS)作为单片…
