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最新AM：突破性研究！PECVD低温生长h-BN忆阻器集成处理器
信息来源：本站 | 发布日期： 2025-01-14 11:45:16 | 浏览量：2122
研究背景与挑战随着人工智能（AI）技术的不断发展，传统计算架构面临越来越多的限制，例如时间延迟和功耗瓶颈，尤其是在处理复杂的时序数据时。储备计算通过减少训练成本和优化神经网络架构，成为解决这些问题的潜在方案。然而，当前的储备计算硬件仍然面临制造兼容性和集…
利用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术，研究团队在金属电极上直接生长h-BN薄膜，并通过调整单位厚度的等离子体辐照时间实现了对晶体性的精确控制，成功制备出纳米晶态（h-BN）和非晶态（a-BN）两种形式的h-BN薄膜。这种方法在350°C的低温下完成，打破了传统高温工艺的限制。
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2025-01-14 11:45:16
研究背景与挑战随着人工智能（AI）技术的不断发展，传统计算架构面临越来越多的限制，例如时间延迟和功耗瓶颈，尤其是在处理复杂的时序数据时。储备计算…
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2025-01-07 08:55:04
氮化硼（Boron Nitride, BN）是一种重要的无机化合物，广泛应用于电子、新能源、航空航天等多个高科技领域。其独特的物理和化学性质，如高热导率、电绝…
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2024-12-30 09:34:38
摘要单晶六方氮化硼（hBN）广泛应用于许多二维电子和量子器件中，其中缺陷对器件性能有重要影响。因此，表征和工程化hBN缺陷对推动这些技术发展至关重要…
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2024-12-20 13:13:12
六方氮化硼是由氮原子和硼原子构成的晶体，是一种广泛使用的材料，它在许多领域都具有重要的应用，例如高温润滑剂和模型的脱模剂等。然而，它并不导电。…
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2024-12-20 13:10:06
研究背景和主要内容单晶六方氮化硼 (hBN) 在许多涉及二维 (2D) 材料的研究中发挥着重要作用。绝缘 hBN 的一个显著应用是通过将 2D 材料封装在 hBN 薄片…
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2024-12-14 15:52:13
范德华层状材料由于表面不存在悬挂键及其优越的电学特性，在制造下一代先进的单片集成电路方面具有很好的应用前景。互补金属氧化物半导体(CMOS)作为单片…
